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NTD6600N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1500
8
100
1250
C iss
T J = 25 ° C
V DS = 0 V
V GS = 0 V
6
V DS
V GS
90
80
1000
Q T
70
750 C rss
C iss
4
Q 1
60
50
40
500
250
C oss
C rss
2
Q 2
I D = 12 A
T J = 25 ° C
30
20
10
0
10
5
0
5
10
15
20
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
18
1000
V GS V DS
DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage versus Total Charge
12
V DS = 80 V
I D = 6 A
V GS = 5 V
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t r
t f
t d(off)
t d(on)
8
6
4
2
1
1
10
100
0
0
0.25
0.5
0.75
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
80
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
70
I D = 12 A
100
T C = 25 ° C
60
10
10 m s
100 m s
1 ms
50
40
30
1.0
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10 ms
dc
20
10
0.1
0.1
1.0
10
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy
versus Starting Junction Temperature
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